ROHM Semiconductor
Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
BSM080D12P2C008
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.6 V
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.2 kV
- Типичное время задержки при включении 20 ns
- Типичное время задержки выключения 80 ns
- Типичная величина задержки 20 ns
- Полярность транзистора N-Channel
- Подкатегория Discrete Semiconductor Modules
- Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки 12
- Время нарастания 30 ns
- Тип продукта Discrete Semiconductor Modules
- Pd - рассеивание мощности 600 W
- Количество каналов 2 Channel
- Id - непрерывный ток утечки 80 A
- Время спада 40 ns
- Конфигурация Half Bridge
- Торговая марка ROHM Semiconductor
- Упаковка Tray
- Серия BSMx
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Упаковка / блок Module
- Вид монтажа Screw Mounts
- Vgs - напряжение затвор-исток - 6 V, + 22 V
- Vr - обратное напряжение 1.2 kV
- Технология SiC
- Тип SiC Power Module
- Продукт Power MOSFET Modules
- RoHS Подробности
- Категория продукта Дискретные полупроводниковые модули
- Производитель ROHM Semiconductor
- Атрибут изделия Значение атрибута
Доступно без регистрации
Преобразование Яндекс Маркет (YML) в Excel
- Преобразовывайте YML-файл в редактируемый документ формата Excel. Конвертируйте из YML в XLSX онлайн
Преобразование Excel (XLSX) в формат Яндекс Маркет
- Преобразовывайте Excel-файл в формат Яндекс Маркет XML (YML). Конвертируйте из XLSX в YML онлайн
Скачивание базы штрихкодов (EAN)
- База содержит информацию о штрихкодах 1 816 200 товаров. Товары встречались в продаже на российском рынке в период с начала 2021 до конца 2022 года
Поиск по библиотеке
- У нас в базе есть информация о 70 миллионах товаров. Проверьте, есть ли там нужные вам товары.