Общие характеристики: Объем: 1 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4) Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Аппаратное шифрование: нет Скорость последовательного чтения: 3300 Мб/с Скорость последовательной записи: 3000 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 300 000 IOps Средняя скорость случайной записи: 256 000 IOps Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч Толщина: 2.25 мм Дата выхода на рынок: 2021 Подсветка: нет Радиатор охлаждения: нет Размеры М.2: 2280 Ресурс записи: 500 TBW Адаптер 3.5" в комплекте: нет.