Silicon Power Silicon Power SP004GBLTU160N02

Вернуться к поиску

Silicon Power

Silicon Power SP004GBLTU160N02

Модуль памяти DDR3 4GB PC3-12800 1600MHz Non-ECC CL11 1.5V SP004GBLTU160N01

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль памяти, который характеризуется высотой меньшего размера (по сравнению со стандартным размером). Такой размер дает возможность его устанавливать в невысоких серверных корпусах. Нет
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти. Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах. Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно. Нет
Поддержка ECC Поддержка ECC Поддержка ECC (Error Checking and Correction) алгоритма, который дает возможность и выявлять, и исправлять случайно возникшие в процессе передачи данных ошибки (не больше, чем один бит в байте). Технологию Error Checking and Correction способны поддерживать почти все серверные платы, а также некоторые материнские платы для рабочих станций. Модули памяти с ECC стоят дороже, чем те, которые не поддерживают данный алгоритм. Нет
Габариты 133.35 x 30 мм
Радиатор Радиатор Наличие закрепленных на микросхемах памяти специальных пластин металла, эти пластины предназначены для улучшения теплоотдачи. Радиаторы обычно устанавливают на модули памяти, которые служат для работы при высокой частоте. Нет
Нормальная операционная температура (Tcase) 85 °C
Напряжение питания Напряжение питания Необходимое для питания модуля оперативной памяти значение напряжение. Все модули рассчитаны на какое-то определенное напряжение, поэтому, выбирая этот элемент, убедитесь, поддерживает ли ваша материнская плата необходимое напряжение. 1.5 В
CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) CAS Latency, CAS — число тактов со времени запроса данных до считывания их с модуля памяти. CAS Latency, CAS – самая важная характеристика модуля памяти, она определят быстродействие памяти. С уменьшением числа CL ускоряется работа памяти. 11
Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки). 240
Эффективная частота Эффективная частота Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже. 1600 МГц
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Самые распространенные формат — это DIMM и SODIMM. DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти. SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в ноутбуках и моноблоках. DIMM
Стандарт Стандарт Тип применяемой оперативной памяти. DDR — синхронная динамическая память, характеризующаяся удвоенной скоростью передачи информации DDR2 — второе поколение памяти типа DDR. Главное отличие от DDR – возможность функционировать на большей частоте. DDR3 – тип памяти, пришедший на смену DDR2. По сравнению с DDR2, имеет увеличенную частоту, что позволяет работать быстрее. DDR4 – тип памяти, пришедший на смену DDR3. По сравнению с DDR3, имеет увеличенную частоту, что позволяет работать быстрее. DDR3
Пропускная способность Пропускная способность Пропускной способностью модуля памяти называют объем получаемой или передаваемой за одну секунду информации. Этот параметр имеет прямую зависимость от тактовой частоты памяти. Рассчитывается пропускная способность модуля памяти путем умножения ширины шины на тактовую частоту. Чем пропускная способность больше, тем больше скорость работы памяти, тем больше цена модуля (если остальные характеристики совпадают). 12800 Мб/с
Суммарный объем 4 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 шт
Объем одного модуля Объем одного модуля Объем памяти, который имеет один модуль. Общий объем памяти системы можно рассчитать, сложив объемы памяти всех установленных модулей. Для комфортной работы в офисных программах и сети интернет хватит 4 Гб. Для нормальной работы с офисными приложениями, а также с графическими редакторами хватит 8 Гб оперативной памяти. Работать в сложных графических программах и играть в компьютерные игры позволит от 16Гб памяти системы. 4 ГБ
Компоновка чипов на модуле Двусторонняя
Расширенная операционная температура (Tcase) 95 °C
Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay – это наименьшее число циклов между RAS (командой активации) и Precharge (командой подзарядки) или закрытия одного и того же банка памяти. 30
Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay. Данный параметр определяет период накопления заряда, подзаряд сигнала RAS (время повторной выдачи), т. е. то время, по прошествии которого контроллер памяти снова сможет выдать сигнал инициализации адреса строки. 11
RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay – это задержка между сигналами, которые определяют адрес столбца и адрес строки. 11
Количество чипов на модуле 16 шт
Ссылка на описание на сайте производителя www.silicon-power.com
Вид поставки Blister Pack/Street Retail